GRAPHÈNE SQUARE
Comment faire graphène?
2. Bottom Up MethodGraphene peut être produit par croissance moléculaire à partir de petits précurseurs de carbone moléculaires par dépôt chimique en phase vapeur (CVD) ou épitaxiale cultivées sur un substrat, où l'épaisseur bien contrôlée (nombre de couches) peut être effectuée en utilisant différents catalyseurs de substrat et de plus en plus les paramètres. Graphène par procédé CVD ont grande surface, de haute qualité et cette méthode a le meilleur potentiel pour la production de masse de graphène de haute pureté.
Quatre DifferentMethods de production
plaquette de carbure de silicium est utilisé pour produire le graphène épitaxiale par graphitisation à des températures élevées. A haute température et ultra-vide ou la pression atmosphérique, Si et les atomes restants sublime formes de carbone graphitiques teurs profanes sur soit faces carbone ou de silicium de la plaquette de SiC. Des méthodes ont été mises au point pour contrôler la croissance du nombre de couches de graphène.
* À l'heure actuelle, les maladies cardiovasculaires sont la seule façon de produire des films de graphène de haute qualité, à grande échelle.
Le dépôt chimique en phase vapeur à la place graphène
CVD croissance de graphène à grande échelle de poly-Ni
Le groupe du professeur Hong a lancé la synthèse CVD du graphène. Le document de la nature correspondant a été l'enregistrement n ° 1 Taux de citation en chimie.
A. support polymère B. graphène sur une feuille de Cu
A. B. Cu agent de gravure graphène sur support polymère
A. graphène sur support polymère B. support polymère Sortie C. substrat cible D. graphène sur la cible
GSI a développé une variété d'équipements de maladies cardiovasculaires qui conviennent à l'échelle de recherche de laboratoire à l'échelle industrielle, permettent la production de haute qualité, un excellent graphène monocouche d'uniformité échantillon pour les études de base, y compris TCVD-50B, deux zones lampe halogène TCVD-100A thermique avec chauffage / refroidissement rapide et le dépôt chimique plasma contrôlable PC automatisé en phase vapeur (TCVD-100CA) ou 8 pouces industrielle rouleau à rouleau de dépôt chimique en phase vapeur (TCVD-V200A) .. ect.
GSI a produit un film de graphène meilleure qualité du monde avec une excellente couverture de surface (> 95%), la mobilité de porteurs élevée (> 3500 V.s -1 m -1), une faible résistance de feuille (250
400 Ω / carré), le graphène monocouche d'uniformité sur une variété de substrats tels que le téréphtalate de polyethylene flexible (PET), les verres minces flexibles, plaquette SiO2, verres de quartz. etc sont prêts pour la commercialisation dans les secteurs des applications électroniques. Parallèlement au développement de l'équipement de synthèse de graphène (MCV), GSI investit également de façon continue RD dans l'amélioration de la synthèse de graphène et de la technologie de transfert pour abaisser les coûts de production et l'amélioration de la qualité de graphène.